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S29GL128P90FAIR10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P90FAIR10图片预览
型号: S29GL128P90FAIR10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 77 页 / 2742 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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DA TA
书吨
( Prelimi NAR Y)
一旦抵押硅业被锁定,验证,系统必须写退出安全硅
该装置返回到所述存储器阵列在扇区0扇区指定地区的命令序列。
10.3
安全硅行业进入/退出命令序列
该系统可以通过发出三个周期的访问安全硅行业进入区域安全硅
部门命令序列。该设备将继续访问安全硅扇形区域,直到
系统发出的四循环退出安全硅扇区命令序列。
SEE
[安全硅扇区命令表,附录
通过
对于两个指令地址和数据要求
序列。
在安全硅行业进入命令允许执行以下命令
了解客户和工厂安全硅领域
方案确保了客户的硅部门
在系统写回车担保硅业的命令序列,它可以读取受保护
硅业使用的地址通常由部门SA0的存储器阵列中所占据。此模式
操作继续,直到系统发出安全硅部门的命令序列退出,或直到
电源从设备中删除。
软件功能和示例代码
以下是C函数,并使用安全硅行业进入,程序源代码示例,
并退出命令。参阅
Spansion的底层驱动程序用户指南
www.spansion.com )
关于Spansion闪存软件开发的指导方针的一般信息。
表10.2
安全硅行业进入
( LLD功能= lld_SecSiSectorEntryCmd )
周期
解锁周期1
解锁周期2
进入周期
基地=基址。
手术
字节地址
基地+ AAAH
基地+ 555H
基地+ AAAH
字地址
基地+ 555H
基地+ 2AAh
基地+ 555H
数据
00AAh
0055h
0088h
/ *例: SecSi部门
*(( UINT16 *) BASE_ADDR
*(( UINT16 *) BASE_ADDR
*(( UINT16 *) BASE_ADDR
进入命令* /
+ 0x555 ) = 0x00AA所;
+ 0x2AA ) = 0x0055自;
+ 0x555 ) = 0x0088;
/ *写解锁周期1
/ *写解锁周期2
/ *写Secsi部门Cmd的入口
*/
*/
*/
表10.3
安全硅行业计划
( LLD功能= lld_ProgramCmd )
周期
解锁周期1
解锁周期2
项目设置
节目
基地=基址。
/ *一旦在SecSi部门的模式,你的程序* /
/ *使用的编程算法的话。
*/
手术
字节地址
基地+ AAAH
基地+ 555H
基地+ AAAH
字地址
字地址
基地+ 555H
基地+ 2AAh
基地+ 555H
字地址
数据
00AAh
0055h
00A0h
数据字
2007年11月8日S29GL - P_00_A7
S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
51