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S29GL512P10TFIR10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL512P10TFIR10图片预览
型号: S29GL512P10TFIR10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 77 页 / 2742 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
S29GL01GP , S29GL512P , S29GL256P , S29GL128P
1千兆, 512兆, 256兆和128兆
3.0伏只页面模式闪存特色
90纳米的MirrorBit工艺技术
数据表
(初步)
概述
Spansion公司S29GL01G /二百五十六分之五百一十二/ 128P是的MirrorBit
®
闪存产品制造的90纳米制程技术。这些设备
报价为25 ns与相应的随机存取时间快90 ns的快速页面访问时间。它们的特点是写缓冲器
允许最多32个字/ 64字节到在一个操作中被编程,从而导致更快的有效编程时间
比标准的编程算法。这使得这些器件非常适用于当今的嵌入式应用需要更高
密度,更好的性能和更低的功耗。
特色鲜明
单3V读/编程/擦除( 2.7-3.6 V)
增强VersatileI / O ™控制
- 所有的输入电平(地址,控制和DQ的输入电平)和输出
通过电压V确定
IO
输入。 V
IO
范围为1.65至V
CC
提供套餐
- 56引脚TSOP
- 64 - ball加固BGA
90纳米的MirrorBit工艺技术
8字/ 16字节的页面读取缓冲区
32字/ 64字节的写缓冲降低了总体规划
时间多字的更新
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久,安全识别
通过一个8字/ 16字节的随机电子序列号
- 可以编程并锁定在工厂或由客户
暂停和恢复的编程和擦除命令
操作
写操作状态位指示编程和擦除
操作完成
解锁绕道程序命令,以减少编程
时间
支持CFI (通用闪存接口)
高级行业持续和密码的方法
保护
WP # / ACC输入
- 加速编程时间(当V
HH
应用)更大
系统在生产过程中产量
- 保护的部门保护设置第一个或最后一个扇区不管
统一64Kword / 128K字节,部门架构
S29GL01GP :千24部门
S29GL512P :五百强12部门
S29GL256P :200名56部门
S29GL128P :一百28部门
硬件复位输入( RESET # )复位装置
就绪/忙#输出( RY / BY # )检测编程或擦除
周期结束
每个部门的典型100,000次擦除周期
20年的数据保存典型
公开号
S29GL-P_00
调整
A
修订
7
发行日期
2007年11月8日
该文件规定对本文所述的Spansion公司产品(S )目前的技术规范。本文件的初步状态表明产物的质
ification已经完成,并且该最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那些需要维护的效率和质量,该文献
可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。