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S29JL032H90TAI320 参数 Datasheet PDF下载

S29JL032H90TAI320图片预览
型号: S29JL032H90TAI320
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内容描述: 32M位3.0V CMOS FLASH MEMORY [32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 66 页 / 1605 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S29JL032H
32M
ビット(4M ×
8
ビット
/ 2M
×
16
ビット)
CMOS 3.0 V
単一電源,リード
/
ライト同時実行,
フラッシュメモリ
特徴
アーキテクチャ
リード
/
プログラム同時実行
バンク内においてイレーズ
/
プログラム機�½を実行しなが
ら,別のバンクからデータをリードすることができます。
リード
/
ライト動�½�間の切替遅延ゼロ
マルチバンクアーキテクチャ
— 4
タイプのバンクアーキテクチャを用意しています(表
2
を参照してください)
ブートセクタ
デバイス内にトップとボトムブートセクタを用意
イレーズ可�½なセクタの組合せは任意
�½造には
0.13 µm
プロセステクノロジを採用
SecSi(セキュアドシリコン)セクタ:256
バイトセクタを別
途�½�用可
工場にてロック設定し特定可�½:
工場にてランダムに設定
するセキュアな電子シリアル番号用として
16
バイトを用
意,オートセレクト機�½により工場によるロック設定を検
証可�½。
お客様にてロック可�½:
ワンタイムプログラムのみ可�½。
いったんロックすると,データの変更は不可。
消費電力ゼロ動�½�
最新の電力制御回路により,動�½�待機時の消費電力をほぼ
ゼロに抑制します。
JEDEC
規格に準拠
端子配列および�½フトウェアは単一電源フラッシュ規格と
互換性保持
超�½�消費電力(標準値)
アクティブリード電流:
2毫安( 1兆赫)
アクティブリード電流:
10毫安( 5兆赫)
スタンバイまたはオートスリープモード時:
200 nA的
セクタ�½�たりの消去回数
1,000,000
回(典型值)。
データ保持�½力:20 年(Typ.)
ADVANCE
信息
�½フトウェアの特徴
共通フラッシュメモリ·インタフェース( CFI )をサポート
イレーズサスペンド
/
イレーズレジューム
イレーズ動�½�を中断して,イレーズの対象となっていない
セクタからのデータのリード,または�½�該セクタへのデー
タのプログラムを実行し,その後,イレーズ動�½�を再開す
ることができます。
数据#
ポーリングおよびトグルビット
プログラムまたはイレーズサイクルの状態を�½フトウェア
的に検出する機�½を搭載
アンロックバイパスプログラムコマンド
複数のワードまたはバイトのプログラミング時間を短縮す
る事ができます。
ハードウェアの特徴
就绪/忙#
出力( RY
/ BY # )
プログラムまたはイレーズサイクルの終了をハードウェア
的に検出する機�½
ハードウェアリセット端子( RESET # )
内部のステートマシンをハードウェア的にリードモードに
リセットする機�½
WP # / ACC
入力端子
ライトプロテクト(WP#)機�½は,セクタのプロテクト設
定状態にかかわらず,一番外側のブートセクタ
2
個を保護
します。
アクセラレーション(ACC)機�½によるプログラム時間の
高速化
セクタプロテクト
セクタ内へのプログラムまたはイレーズ動�½�をハードウェ
ア的に禁止する機�½
一時的セクタプロテクト解除機�½により,デバイスをシス
テムに実装したまま,プロテクトされたセクタ内のデータ
を変更可�½
パッケージオプション
48
ピン
TSOP (シンスモールアウトラインパッケージ)
性�½
高性�½
高速アクセスタイム:
60纳秒
プログラム時間:4
µs /
ワード(標準)
(高速プログラム機
�½適用時)
文書番号
S29JL032H_J
改定
A
修正
11
発行日
2005
3
9
日(S29JL032H_A1
2004年8月5日)
本资料には, Spansion公司
有限责任公司
で開発中の�½品情報が記載されています。この情報は,お客様が本�½品を評価される際にお�½�立ていただくことを目的としています。
Spansion公司
は事前の通知なしに,�½�該情報を変更したり,�½品の�½造を中止する場合があります。