A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
概要
S29JL032H
は，32M ビット（2,097,152 ワード×
16
ビット，または
4,194,304
バイ
ト×
8
ビット構成）
，3.0
V
単一電源フラッシュメモリデバイスです。データは，DQ15 �½�
DQ0（ワードモード時）
，または
DQ7
�½�
DQ0（バイトモード時）に出力されます。本デ
バイスは，システムに実装したまま，3.0
V V
CC
標準電源によりプログラムできるほか，
標準の
EPROM
ライタを�½�ってもプログラムできるように設計されています。
アクセスタイムによる各種バージョン（60，70，90
ns）と，48
ピン
TSOP
パッケージ
を用意しています。標準搭載の制御端子（チップイネーブル（CE#），ライトイネーブル
（ WE＃ ）
，出力イネーブル（ OE ＃ ）
）により，通常のリード
/
ライト動�½�を制御し，バス競
合問題を回避しています。
デバイスのリード
/
ライト機�½は，3.0
V
単一電源のみで動�½�可�½です。プログラムおよ
びイレーズ動�½�では，内部で生成され，安定化された電源を�½�用します。
遅延時間ゼロで同時に実行可�½なリード
/
ライト動�½�
メモリ空間を別個のバンクに分割したリード
/
ライト同時実行アーキテクチャにより，同
。セクタアドレスは固定されていますので，
時実行が可�½です（表
2
を参照してください）
システム�½フトウェアによりユーザ定義によるバンクグループを構成することができま
す。
イレーズ
/
プログラム動�½�の対象となっていないバンクのいずれからも，動�½�中にデータ
をリードすることができます。ただし，同時実行可�½なバンクは
2
つのみとなります。ま
た，ホストシステムがあるバンクをプログラムまたはイレーズしながら，別のバンクから
のリードを遅延時間ゼロで速やかにかつ同時に行なえるようにして，全�½�的なシステム性
�½を向上させています。これにより，システムはプログラムまたはイレーズ動�½�が完了す
るのを待たなくてもよいことになります。
また，
S29JL032H
は，
トップ
/
ボトムの両ブートセクタ構成で構成することができます。
S29JL032H
の特徴
SecSi ™ （セキュアドシリコン）セクタ
は，弊社工場またはユーザにより恒久的にロック
可�½な
256
バイトのセクタです。このセクタがユーザによりロックされると， SecSiユー
ザインジケータビット（DQ6）が恒久的に「1」にセットされます。また，工場にてロッ
クされると恒久的に「0」にセットされます。ユーザによるロックを可�½にする場合は「0」
のまま出荷されます。このように，ユーザがロック可�½なパーツは，工場にてロックされ
たパーツを書き換えられないようになっています。
工场にてロックされるパーツには数通りのオプションがあります.SecSiセクタには，ラ
ンダムでセキュアな
16
バイト
ESN
（電子シリアル番号） またはユーザコード
，
（ Spansion公司
プログラミングサービスによりプログラムされます） あるいはこの両方を格納することが
，
できます。ユーザロック可�½なパーツとして
SecSi
セクタをボーナス空間として�½�用し，
他のフラッシュセクタと同様にリード
/
ライトしたり，ユーザ独自のコードを格納して恒
久的にロックすることができます。
DMS（データ管理�½フトウェア）を�½�用すれば，本�½品シリーズのリード
/
ライト同時実
行可�½という最新アーキテクチャをフルに利用して，
従来の
EEPROM
デバイスを�½�き換え
ることが可�½です。DMS はまた，単バイトごとの修正ではなく，ファイル構造のデータを
修正することができ，これに必要なすべての機�½を実行しますので，システム�½フトウェ
アを簡素化することができます。あるデータ（たとえば，電話番号や構成データなど）を
書込んだり，更新する場合も，ユーザは，更新対象のデータを指定し，更新したデータを
システムに格納する�½��½�を記述するだけで済みます。これは，従来のように，旧データの
�½��½�や状態，
フラッシュメモリデバイス
（またはメモリデバイス）
に対するデータのロジッ
ク⇒物理変換などをユーザが書込む�½フトウェアで管理しなければならないシステムに比
べると，はるかに簡単です。DMS を�½�用すれば，ユーザが用意する�½フトウェアとフラッ
シュメモリが直接インタフェースする必要がなくなります。ユーザ側の�½フトウェアは，
2005
年
3
月
9
日
S29JL032HA11
S29JL032H
5
SPANSION [ SPANSION ]
