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S71NS256NC0BJWVN3 参数 Datasheet PDF下载

S71NS256NC0BJWVN3图片预览
型号: S71NS256NC0BJWVN3
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内容描述: 的MirrorBit 1.8伏特,只有同步读/写,突发模式复用闪存 [MirrorBit 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst-mode Multiplexed Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 12 页 / 352 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
4
4.1
连接图/物理尺寸
本节包含了I / O名称和包装规格为S71NS -N 。
特殊处理说明FBGA封装
特殊处理所需的闪存产品, FBGA封装。
如果暴露在超声波清洗甲FBGA封装的快闪存储器装置可能会损坏
消耗臭氧层物质。如果封装体被暴露于封装和/或数据的完整性可能受到损害
温度高于150℃的时间的延长期限。
4.2
连接图
4.2.1
PSRAM基于引脚, 56球, VFBGA
56球细间距球栅阵列
PSRAM基于引脚
(顶视图,球朝下)
A1
NC
A14
NC
传说
无连接
(之间的距离
外NC球
是2倍节距)
C3
C4
C7
C8
C11
C12
NC
D3
俄罗斯足协
D4
D5
D6
R- LB #
D7
R- UB #
D8
WE#
E8
F- RST #
F8
A/DQ3
G8
D9
F- ACC
E9
F- WP #
F9
A/DQ2
G9
D10
A19
E10
A18
F10
A/DQ9
G10
V
CCQ
俄罗斯足协
D11
A17
E11
F- CE #
F11
A/DQ8
G11
A/DQ1
H11
NC
D12
A22
E12
V
SSQ
F12
OE #
G12
A/DQ0
H12
NC
预留的
未来使用
F- RDY /
R- WAIT
E3
V
CCQ
F3
V
SS
G3
A21
E4
A16
F4
A/DQ7
G4
V
SS
E5
A20
F5
A/DQ6
G5
V
SSQ
CLK
E6
AVD #
F6
V
CC
E7
DNU
F7
闪存/内存
只有共享
仅限于Flash
A / DQ13 A / DQ12
G6
A/DQ5
G7
A/DQ4
H7
R- CE #
RAM ONLY
A / DQ15 A / DQ14
H3
NC
A / DQ11 A / DQ10
H8
R- CRE
H4
俄罗斯足协
俄罗斯足协
K3
NC
K14
NC
注意事项:
1.
2.
地址闪存和RAM之间共享取决于PSRAM的密度。
CLK和WAIT信号是闪存仅用于S71NS064NA0 -RT ,而在该MCP ,所述CRE信号将不存在。
MCP
S71NS128NC0
S71NS128NB0
S71NS128NA0
S71NS064NA0
仅闪烁地址
A22
A22-A21
A22-A20
A21-A20
共享地址
A21-A16
A20-A16
A19-A16
A19-A16
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ADQ15 - ADQ0
ADQ15 - ADQ0
ADQ15 - ADQ0
ADQ15 - ADQ0
图4.1
PSRAM基于引脚, 56球, VFBGA
2006年10月10日S71NS , N_00_A3
S71NS -N MCP产品
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