A D V A N权证
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被刷新。在该阵列的剩余部分中的数据将会丢失。该PASR操作
模式仅在待机时间（ ZZ ＃低）可用，一旦ZZ ＃返回
高，设备恢复全阵列刷新。所有未来的PASR周期将使用
模式寄存器已被预先设定的内容。要改变这种吸附
该PASR模式的装扮空间，模式寄存器必须复位使用
先前定义的过程。为PASR被激活时，寄存器位，A4绝
被设置为一（1）的值， “ PASR启用” 。如果是这种情况， PASR将爱科特
氧基团10微秒后， ZZ ＃被拉低。如果A4的寄存器位被设置等于零
（0）， PASR将不会被激活。
温度补偿刷新（为64兆）
在这种操作模式下，所述内部刷新速率可以了选购进行优化
使用温度关合作，这可以再低待机电流。在DRAM
阵列中的PSRAM中，必须在内部刷新定期。在高
的温度下，将DRAM单元必须更频繁地刷新比在较低的温
peratures 。通过模式寄存器设置操作的温度，这
刷新速率可被优化，以产生最小的待机电流，在给定的OP-
展业务的温度。有四个不同的温度设定值，可以是
在向PSRAM编程。这些都在图39中定义。
深度休眠模式
在这种操作模式下，所述内部刷新是关闭的，所有的数据完整性
阵列的丢失。深度睡眠是使ZZ ＃低配A4稳压进入
存器位设置为零（0）， “深度睡眠启用” 。如果是这样的话，深度睡眠
将进入10微秒后， ZZ ＃被拉低。该装置将保持在该模式
只要ZZ ＃仍然很低。如果A4的寄存器位被设置为等于一（1） ，深
睡眠不会被激活。
降低内存大小（对于32M和16M ）
在这种操作模式下， 32Mb的PSRAM中可以作为8Mb的或16Mb的操作
装置。该模式和数组的大小是由VA寄存器的设置决定。
VA模式寄存器根据以下的定时与在该位设置中设置
表中的“地址模式的RMS ” 。在RMS模式在ZZ的时候启用
高转换和模式仍然有效，直至寄存器被更新。对
返回到满32Mb的地址空间中， VA寄存器必须复位用
先前定义的过程。而在RMS模式操作时，未选择的
也可以不使用该阵列的一部分。
其他的模式寄存器设置（ 64M ）
页模式操作，也可以启用和使用模式稳压禁用
存器。寄存器位A7控制页面模式的运作，此位设置为
一（1） ，使页面模式。如果寄存器位A7被设置为零（0），页面模式
操作被禁止。
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PSRAM类型1
2004年pSRAM_Type01_12_A1 8月30日，
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