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S71PL129JB0BAW9U0 参数 Datasheet PDF下载

S71PL129JB0BAW9U0图片预览
型号: S71PL129JB0BAW9U0
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内容描述: 堆叠式多芯片产品( MCP )闪存 [Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 149 页 / 2994 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
PWA =密码地址。 A1 : A0选择密码的一部分。
正在验证PWD =密码数据。
PL =密码保护模式锁定地址( A7 : A0 )为( 00001010 )
RD ( 0 ) =读取数据DQ0为保护指示灯位。
RD ( 1 ) =读数据DQ1为PPB锁定状态。
SA =扇区地址在安全指令适用。地址位安迈信: A12唯一选择任何行业。
SL =持久保护模式锁定地址( A7 : A0 )为( 00010010 )
WP = PPB地址( A7 : A0 )为( 00000010 )
X =无关
PPMLB =密码保护模式锁定位
SPMLB =持久保护模式锁定位
注意事项:
1.见
表1
总线操作的描述。
2.所有值均为十六进制。
3.阴影部分表表示读周期。所有其他的周期是写操作。
4.在解锁和指令周期中,当低地址位是555或2AAh如表所示,高于地址位
A11 (除非广管局要求)和数据位比DQ7较高的不关心。
5.复位命令返回的设备读取阵列。
6.循环4方案涉及锁定位。圈5和6位验证已经完全编程的时候DQ0 = 1,如果DQ0 =
0在周期6 ,程序指令必须发出,并再次验证。
7.数据被锁存WE#上升沿。
8.整个命令序列必须对密码的每个部分被输入。
9.命令序列返回FFH如果PPMLB设置。
10.密码写在连续四个周期,在地址0-3 。
11. 2微秒的超时需要输入密码的任何两个部分之间。
12. 100微秒的超时周期需要4和5之间。
13. 1.2毫秒超时周期需要4和5之间。
14周4删除所有PPBS 。圈5和6位验证已经完全擦除时, DQ0 = 0。如果DQ0 = 1周期6 ,删除
命令必须出具,并再次验证。在发出擦除命令,所有的PPBS应该通过编程来防止PPB
过度擦除。
15. DQ1 = 1,如果PPB锁定, 0如果解锁。
写操作状态
该装置提供了几个位,来确定一个程序的状态或擦除操作
化: DQ2 , DQ3 , DQ5 , DQ6和DQ7 。
表14
和下面的小节介绍
这些位的功能。 DQ7和DQ6的每个决定是否提供了一个方法
编程或擦除操作完成或正在进行中。该装置还提供了一个
基于硬件的输出信号, RY / BY# ,以确定是否一个嵌入式程序
或擦除操作正在进行或已经完成。
DQ7 :数据#投票
的数据#查询位DQ7 ,表示到主机系统是否嵌入亲
克或擦除算法正在进行或已完成,或银行是否擦除
挂起。数据#查询后,最终WE#脉冲在COM上升沿有效
命令序列。
在嵌入式程序算法,对DQ7器件输出的补
的编程DQ7基准。这DQ7状态也适用于在编程过程中
擦除挂起。当嵌入式程序算法完成时,该装置输出
把编程DQ7基准。该系统必须提供的程序地址
阅读关于DQ7有效的状态信息。如果一个程序地址落在一个受保护的
部门,对DQ7数据#投票是活动约1微秒,则该银行的回报
为读模式。
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S29PL129J的MCP
2004年S29PL129J_MCP_00_A0 6月4日,