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S71PL129JB0BAW9U0 参数 Datasheet PDF下载

S71PL129JB0BAW9U0图片预览
型号: S71PL129JB0BAW9U0
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内容描述: 堆叠式多芯片产品( MCP )闪存 [Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 149 页 / 2994 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
VIO
0.0 V
In
VIO/2
测量级别
VIO/2
产量
图10.输入波形和测量水平
VCC变化斜率
所有的DC特性的V指定
CC
升温速率> 1V / μs的100和V
CC
& GT ; = V
CCQ
- 100毫伏。如果在V
CC
升温速率是< 1V / 100微秒,一个硬件复位
需要+
读操作
表18.只读操作
参数
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
标准。
t
RC
t
t
CE
描述
读周期时间(注
1)
地址输出延迟
芯片使能到输出延迟
CE # , OE # = V
IL
OE # = V
IL
测试设置
最大
最大
最大
最大
最大
最大
55
55
55
55
20
20
速度选项
60
60
60
60
25
25
16
16
5
0
10
65
65
65
65
25
30
70
70
70
70
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PACC
页面访问时间
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
输出使能到输出延迟
芯片使能到输出高Z(注
3)
输出使能到输出高Z
(注
1, 3)
输出保持时间从地址, CE #或
OE # ,先到为准(注
3)
输出使能保持
时间(注
1)
切换和
数据#投票
t
OEH
注意事项:
1.不100 %测试。
2.见
图9
表16
测试规范
通过放置一个50欧姆的终端上的数据引脚与V的偏置进行测量3
CC
/ 2 。从OE #时间
高驱动到V数据总线
CC
/ 2取为t
DF
.
4. S29PL129J有两个CE # ( # CE1 , CE2 # ) 。
5.有效的CE1 # / CE2 #条件: ( CE1 # = V
IL
, CE2 # = V
IH
)或( CE1 # = V
IH
, CE2 # = V
IL
)或( CE1 # = V
IH ,
CE2 # = V
IH
)
6.有效CE1 # / CE2 #转换: ( CE1 # = V
IL
, CE2 # = V
IH
)或( CE1 # = V
IH
, CE2 # = V
IL
)至( CE1 # = CE2 # = V
IH
)
7.有效CE1 # / CE2 #转换: ( CE1 # = CE2 # = V
IH
)至( CE1 # = V
IL
, CE2 # = V
IH
)或( CE1 # = V
IH
, CE2 # = V
IL
)
8.对于70pF输出负载电容, 2纳秒加入到上述吨
,t
CE
,t
PACC
,t
OE
所有速度等级值
66
S29PL129J的MCP
2004年S29PL129J_MCP_00_A0 6月4日,