W191
偏斜受控SDRAM缓冲区
特点
•六歪斜控制CMOS输出
•任何两个输出之间输出偏斜小于150 ps的
• SMBus串行接口配置
• 2.5 ns至5 ns的传播延迟
• DC至133 MHz运行（商业）
• DC至100 MHz运行（工业）
•单3.3V电源电压
•低功耗CMOS设计，封装在一个16引脚SSOP
（收缩小外形封装）
关键的特定连接的阳离子
电源电压： V ...............................................
DDQ3
= 3.3V ±5%
工作温度： （商业） ............. 0 ° C至+ 70°C
工作温度： （工业） .............. -40 ° C至+ 85°C
输入阈值： ............................................... ....典型值为1.5V
最大输入电压： .................................. V
DDQ3
+ 0.5V
输入频率： （商业） ........................ 0到133兆赫
输入频率： （工业） ............................. 0到100兆赫
BUF_IN到SDRAM0 ： 5传播延迟： ....... 2.5 ns至5纳秒
分钟。输出边沿速率： ............................................. 1.0 V / ns的
马克斯。输出偏斜： ............................................... ...... 150 PS
输出占空比： ...................................五十五分之四十五％，最坏的情况
输出阻抗： ............................................... .... 15 （典型值） 。
框图
引脚配置
[1]
SDRAM0
GND
SDRAM0
SDRAM1
SDRAM2
SDATA
SCLOCK
SMBUS
设备控制
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDDQ3
SDRAM5
GND
SDRAM4
VDDQ3
SDRAM3
GND
SCLK
SDRAM1
BUF_IN
GND
SDRAM2
VDDQ3
SDATA
BUF_IN
SDRAM3
SDRAM4
SDRAM5
注意：
对250K的SDATA和SCLK 1.内部上拉电阻。
1.0版， 2006年11月20日
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