W40S11-02
SDRAM缓冲区 - 2 DIMM （手机）
特点
•十歪斜控制CMOS输出（ SDRAM0 ： 9 ）
•支持两个SDRAM DIMM的
•适用于高性能系统设计围绕
英特尔最新的移动芯片组
• SMBus串行接口配置
•斜度任何两个输出之间小于250 ps的
• 1到5 ns的传播延迟
• DC至133 MHz的操作
•单3.3V电源电压
•低功耗CMOS设计，封装在一个28引脚， 209密耳
SSOP （紧缩小型封装）
关键的特定连接的阳离子
电源电压： ........................................... V
DD
= 3.3V±5%
工作温度： .................................... 0 ° C至+ 70°C
输入阈值： ............................................... ....典型值为1.5V
最大输入电压： V ...............................................
DD
+ 0.5V
输入频率： ............................................... 0至133兆赫
BUF_IN到SDRAM0 ： 9传播延迟： ........ 1.0〜 5.0纳秒
输出边沿速率： .............................................. ... >1.5 V / ns的
输出偏斜： ............................................... ............. ± 250 ps的
输出占空比： ...................................五十五分之四十五％，最坏的情况
输出阻抗： ....................................... 15欧姆典型
输出类型： ............................................... CMOS轨到轨
概观
赛普拉斯W40S11-02是一个低电压， 10路输出时钟
缓冲区。输出缓冲器阻抗约为15 ，这
非常适用于驱动SDRAM DIMM内存模块。
框图
引脚配置
SDATA
SCLOCK
串行端口
设备控制
OE
SDRAM0
SDRAM1
SDRAM2
SDRAM3
SDRAM4
SDRAM5
SDRAM6
SDRAM7
SDRAM8
VDD
SDRAM0
SDRAM1
GND
VDD
SDRAM2
SDRAM3
GND
BUF_IN
VDD
SDRAM8
GND
VDD
SDATA
[1]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD
SDRAM7
SDRAM6
GND
VDD
SDRAM5
SDRAM4
GND
OE
[1]
VDD
SDRAM9
GND
GND
SCLOCK
[1]
BUF_IN
SDRAM9
注意：
对250K的SDATA ， SCLOCK和OE IN- 1内部上拉电阻
看跌期权（不应该依靠拉至V
DD
).
1.0版， 2006年12月1日
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