1SMA4741通1SMA200Z
额定值ANAD特性曲线
（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.6-典型电容与Vz的
400
300
200
C，电容（pF ）
FIG.7-温度系数
A- RANGE FOR单位12伏
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
+12
+10
+8.0
+6.0
+4.0
+2.0
0
-2.0
-4.0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
，齐纳电压（伏）
100
0V偏置
1.0V BIAS
10
8
4
1
范围
V
Z
@ I
ZT
击穿BIAS的50 ％
10
V
Z
，正向电压（伏）
100
FIG.8-温度系数
B- RANGE FOR单元11至100伏
齐纳电流的FIG.9-影响
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
20
30
50
70
100
V
Z
，齐纳电压（伏）
+6.0
+4.0
V
Z
@ I
ZT
TJ=25
o
C
+2.0
范围
V
Z
@ I
ZT
20mA
0
0.01mA
1.0mA
注：低于3千伏及以上一伏
在齐纳电流OO的更改不会
AFFECT温度系数
-2.0
-4.0
3
4
5
6
7
8
V
Z
，齐纳电压（伏）
FIG.10-最大浪涌电源
PPK ，峰值浪涌功率IWATTSO
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
PW ，脉冲宽度（毫秒）
0.8V
-10V
不
11V
-9
-re
PET
ITIV
E
1V ñ
导通
代表
5% D
UTY ç
YCLE
ETIT
香港专业教育学院
矩形
波形
o
TJ = 25℃ PRIOR TO
初始脉冲
10 ％ DUT
Y
周期
20 ％占空比
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2007年8月22日Rev.1.00
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SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
