SSM2316GN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM2316GN
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内容描述：	N沟道增强模式功率MOSFET [N-channel Enhancement-mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 467 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM2316GN

N沟道增强模式功率MOSFET

产品概述

DSS

DS （ ON）

描述

该SSM2316GN acheives快速开关性能

有没有复杂的驱动电路，低栅极电荷。它

适用于低电压应用，如直流/直流

转换器与一般的负载开关电路。

该SSM2316GN是符合RoHS标准提供

SOT- 23-3封装，其被广泛地用于低

功率商业和工业表面贴装

应用程序。

30V

42mΩ

4.7A

无铅;符合RoHS标准的SOT- 23-3

SOT-23-3

绝对最大额定值

符号

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 25°C

= 70°C

漏电流脉冲

1,2

总功耗，T

= 25°C

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

价值

4.7

3.7

1.38

0.01

-55到150

单位

W / ℃，

°C

热特性

符号

θJA

参数

最大热阻，结到环境

价值

单位

° C / W

注意事项：

1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.Mounted对FR4板的铜焊盘的平方英寸;安装在需要焊接的最小垫区时为270℃ / W 。

2006年6月16日Rev.3.01

www.SiliconStandard.com

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