SSM2307GN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM2307GN
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 190 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM2307GN

P沟道增强模式

功率MOSFET

产品概述

简单的驱动要求

封装尺寸小

表面安装器件

DSS

DS （ ON）

-16V

60mΩ

- 4A

SOT-23

描述

从硅标准公司先进的功率MOSFET

提供设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

采用SOT -23封装普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。

无铅;符合RoHS标准

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-16

±8

-4

-3.3

-12

1.38

0.01

-55到150

单位

W/℃

℃

热

数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

单位

℃/W

08/02/2007 Rev.1.00

www.SiliconStandard.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案