SSM2309GN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM2309GN
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-channel Enhancement-mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 289 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM2309GN

P沟道增强型功率MOSFET

低栅极电荷

简单的驱动要求

快速开关

无铅;符合RoHS标准。

DSS

DS （ ON）

-30V

75mΩ

-3.7A

描述

该SSM2309GN是采用SOT- 23-3封装，其被广泛地用于低

功率商业和工业表面贴装应用。它非常适合

对于低电压应用，如DC / DC转换器和与一般

开关应用。

SOT-23-3

绝对最大额定值

符号

@ T

=25°C

@ T

=70°C

@ T

=25°C

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-30

-3.7

-3

-12

1.38

0.01

-55到150

单位

W / ℃，

°C

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻，结到环境

马克斯。

价值

单位

° C / W

2005年2月16日Rev.2.1

www.SiliconStandard.com

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