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SSM25G45EM 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SSM25G45EM
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内容描述: N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 241 K
品牌: SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
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SSM25G45EM
N沟道绝缘栅双极晶体管
高输入阻抗
高的峰值电流能力
C
C
C
C
V
CE
I
CP
450V
150A
C
4.5V栅极驱动
G
SO-8
E
E
E
G
E
绝对最大额定值
符号
V
CE
V
GE
V
GEP
I
CP
P
D
@ T
C
=25°C
T
英镑
T
J
1
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
脉冲门 - 发射极电压
集电极电流脉冲
最大功率耗散
存储温度范围
工作结温范围
等级
450
±6
±8
150
2.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性@ T
j
=25
o
C(除非另有说明)
符号
I
GES
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RTH
JA1
参数
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流( TJ = 25 ° C)
测试条件
V
GE
=± 6V, V
CE
=0V
V
CE
=450V, V
GE
=0V
V
GE
= 4.5V ,我
CP
= 150A (脉冲)
分钟。
-
-
-
0.35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
6
-
64.5
7
30
11.5
24.5
150
3.3
2227
200
79
-
马克斯。
10
10
8
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
单位
µA
µA
V
V
nC
nC
nC
ns
ns
ns
µs
pF
pF
pF
° C / W
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
=V
GE
, I
C
=250uA
I
C
=50A
V
CE
=360V
V
GE
=5V
V
CC
=225V
I
C
=50A
R
G
=25Ω
V
GE
=5V
V
GE
=0V
V
CE
=25V
f=1.0MHz
热阻结到环境
注意事项:
1.Surface安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候125 ° C / W 。铜垫。
2004年9月21日Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
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