SSM4224M
电气特性@ T
j
=25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
16
-
-
-
23
6
14
12
8
34
16
400
280
0.9
MAX 。单位
-
-
14
20
3
-
1
25
±100
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
∆
BV
DSS
/
∆
T
j
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=10A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=10A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω
,
V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1910 3070
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
=10A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/µs
分钟。
-
-
-
典型值。
-
30
24
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300μs ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候135 ° C / W 。铜垫。
Rev.1.01 2004年4月6日
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SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
