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型号: SSM4228GM
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内容描述: 双N沟道增强型功率MOSFET [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 148 K
品牌: SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
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SSM4228M/GM
双N沟道增强型功率MOSFET
低导通电阻
高VGS额定值
表面贴装封装
D1
D1
D2
D2
BV
DSS
R
DS ( ON)
G2
S2
30V
25mΩ
6.8A
I
D
SO-8
S1
G1
描述
D1
D2
从功率MOSFET
硅标准
提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,超低导通电阻和
成本效益。
G1
S1
G2
S2
该器件可提供作为SSM4228GM无铅引脚镀层(二级互连) 。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,4
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
± 25
6.8
5.5
30
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W / ℃,
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
马克斯。
价值
62.5
单位
° C / W
2004年4月26日Rev.2.10
www.SiliconStandard.com
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