SSM4226GM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM4226GM
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内容描述：	双N沟道增强型功率MOSFET [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 137 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM4226M/GM

双N沟道增强型功率MOSFET

低导通电阻

简单的驱动要求

高V

等级

DSS

DS （ ON）

30V

18mΩ

8.2A

SO-8

描述

从硅标准高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

该器件可提供作为SSM4226GM无铅引脚镀层（二级互连）。

绝对最大额定值

符号

@ T

=25°C

@ T

=70°C

@ T

=25°C

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

± 20

8.2

6.7

0.016

-55到150

单位

W / ℃，

°C

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

62.5

单位

° C / W

2004年8月6日Rev.1.02

www.SiliconStandard.com

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