SSM4232GM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM4232GM
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 215 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM4232GM

N沟道增强模式

功率MOSFET

产品概述

低导通电阻

简单的驱动要求

双N MOSFET封装

DSS

DS （ ON）

30V

22mΩ

7.8A

SO-8

描述

从硅标准公司先进的功率MOSFET

为设计人员提供快速的最佳组合

开关，坚固耐用的设备的设计，超低的导通电阻

和成本效益。

无铅;符合RoHS标准

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

±20

7.8

6.2

0.016

-55到150

单位

W/℃

℃

热

数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

2007年9月23日Rev.1.00

www.SiliconStandard.com

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