SSM4501GM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM4501GM
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内容描述：	N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 308 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM4501GM

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

产品概述

简单的驱动要求

低导通电阻

快速开关

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

30V

28mΩ

-30V

50mΩ

-5.3A

SO-8

描述

从硅标准公司先进的功率MOSFET

提供设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。

无铅;符合RoHS标准

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

±20

5.8

0.016

-55到150

等级

N沟道

P沟道

-30

±20

-5.3

-4.7

-20

W/℃

℃

单位

热

数据

符号

Rthj - AMB

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

2007年8月17日Rev.1.00

www.SiliconStandard.com

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