欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SSM4565GM 参数 Datasheet PDF下载

SSM4565GM图片预览
型号: SSM4565GM
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 互补N沟道和P沟道增强型功率MOSFET [COMPLEMENTARY N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 421 K
品牌: SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
 浏览型号SSM4565GM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSM4565GM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSM4565GM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSM4565GM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SSM4565GM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SSM4565GM的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SSM4565GM的Datasheet PDF文件第8页  
SSM4565M/GM
互补N沟道和P沟道增强型功率MOSFET
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
D2
D1
D2
D1
D1
D1
D2
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
G2
G2
S2
S2
G1
S1
G1
S1
40V
25mΩ
7.6A
-40V
33mΩ
-6.5A
D1
D2
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
SO-8
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
该SSM4565M是在SO- 8封装,广泛用于优先
商业和工业表面安装的应用程序,并且是非常适合
对于低电压应用,如DC / DC转换器。
G1
G2
S1
S2
该器件可提供作为SSM4565GM无铅引脚镀层(二级互连) 。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
等级
N沟道
40
±20
7.6
6
30
2.0
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-40
±20
-6.5
-5.2
-30
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
°C
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
° C / W
2004年12月10日Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
1 5