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SSM4513GM 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SSM4513GM
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内容描述: N型和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 320 K
品牌: SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
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SSM4513M/GM
N型和P沟道增强型功率MOSFET
简单的驱动要求
低导通电阻
D1
D2
D1
D2
N沟道
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
35V
36m
5.8A
-35V
68m
-4.3A
快速开关性能
SO-8
S1
G1
G2
S2
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,坚固耐用
装置的设计,低导通电阻和成本效益。
G1
I
D
D1
D2
G2
S1
S2
该SSM4513M是在SO- 8封装,这是广
首选的商业和工业表面贴装应用,
并且非常适合于最低电压应用。
该器件可提供作为SSM4513GM无铅引脚镀层(二级互连) 。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
35
±20
5.8
4.7
20
2.0
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-35
±20
-4.3
-3.4
-20
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
° C / W
2004/10/12 Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
1第8