SSM4880AGM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM4880AGM
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内容描述：	N沟道增强模式功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 227 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM4880AGM

N沟道增强模式功率MOSFET

低导通电阻

快速开关，平面结构

简单的驱动要求

DSS

DS （ ON）

30V

9mΩ

13A

SO-8

描述

从功率MOSFET

硅标准

提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

采用SO-8封装

广泛

首选商业

和

工业表面装载的应用程序和所述SSM4880AGM非常适合

对于低电压应用，如DC / DC转换器。

无铅引脚镀层（二级互连）

绝对最大额定值

符号

@ T

=25°C

@ T

=70°C

@ T

=25°C

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

等级

±20

2.5

0.02

266

7.3

-55到150

单位

W / ℃，

°C

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

单位

° C / W

2005年3月8日Rev.2.2

www.SiliconStandard.com

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