SSM4957GM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM4957GM
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内容描述：	双P沟道增强型功率MOSFET [DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETS]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 216 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM4957(G)M

10000

f=1.0MHz

-V

，门源电压（ V）

= -7A

= - 24 V

国际空间站

C（ pF）的

1000

OSS

RSS

100

，总栅极电荷（ NC）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

0.1

1ms

-I

(A)

0.05

10ms

100ms

0.02

0.01

单脉冲

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

= P

个R

thJA

+ T

thJA

=135

C / W

0.1

=25 C

单脉冲

0.01

0.1

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

-V

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

90%

-4.5V

10%

D（上）

D（关闭）

收费

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

2004年10月21日Rev.1.01

www.SiliconStandard.com

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