SSM6680GM
电气特性
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
（在TJ = 25 ° C，除非另有规定）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=11.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=9.5A
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
30
-
-
-
16.8
4.2
8
8.9
7.3
25.6
18.6
1450
285
180
MAX 。单位
-
-
11
18
3
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
∆
BV
DSS
/
∆
Tj
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=11.5A
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
= 0V ， TJ = 70℃
V
GS
=±25V
I
D
=11.5A
V
DS
=15V
V
GS
=5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=5.5Ω , V
GS
=10V
R
D
=10Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
I
S
参数
正向电压
2
测试条件
I
S
= 3.5A ，V
GS
=0V
分钟。
-
典型值。
-
MAX 。单位
1.3
V
连续源电流（体二极管）V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
-
-
1.92
A
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2005年12月16日Rev.3.01
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SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
