SSM7002DGU 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM7002DGU
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内容描述：	双N沟道增强型功率MOSFET [Dual N-channel Enhancement-mode Power MOSFETs]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 759 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM7002DGU

双N沟道增强型功率MOSFET

产品概述

DSS

DS （ ON）

描述

该SSM7002DG acheives快速开关性能

有没有复杂的驱动电路，低栅极电荷。它

适用于低电压应用，如直流/直流

转换器与一般的负载开关电路。

该SSM7002DGU是符合RoHS标准的供应

SOT- 363封装，它被广泛用在主板

空间是关键的，小型脚印尺寸是必需的。

50V

3Ω

250mA

无铅;符合RoHS标准的SOT- 363

SOT-363

绝对最大额定值

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 25°C

价值

250

单位

英镑

源极 - 漏极二极管的电流

漏电流脉冲

1,2

总功耗，T

= 25°C

= 75°C

存储温度范围

工作结温范围

115

1.0

200

120

-55到150

°C

热特性

符号

θJA

参数

最大热阻，结到环境

价值

625

单位

° C / W

注意事项：

1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.Mounted上FR4板

2005年11月26日Rev.3.01

www.SiliconStandard.com

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