SSM70T03GH,J
N沟道增强模式功率MOSFET
产品概述
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
该SSM70T03 acheives快速开关性能
有没有复杂的驱动电路，低栅极电荷。这是
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器与一般的负载开关电路。
该SSM70T03GH是在TO -252封装，这是
广泛用于商业和工业表面贴装
应用程序。
通孔版， SSM70T03GJ在TO- 251 ，
可以垂直安装，在占用空间小
需要在黑板上，和/或外部散热器
要附加。
这些器件采用先进工艺制造，
提供改进的导通电阻和开关性能。
该器件具有最高结温额定值
为175℃ ，以改善热余量和可靠性。
30V
9mΩ
60A
无铅;符合RoHS标准的TO- 251 （ IPAK ）
和TO - 252 （ DPAK ）
G
克ð
S
D
S
TO- 251 （后缀十）
TO- 252 （标H ）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
T
英镑
T
J
参数
漏源
电压
栅极 - 源
电压
连续
漏极电流，T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
脉冲
漏电流
1
总
功耗，T
C
= 25°C
线性
降额因子
单身
脉冲雪崩能量
3
存储
温度范围
操作
结温范围
价值
30
±20
60
43
195
53
0.36
29
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
°C
热
特征
符号
R
Θ
JC
R
Θ
JA
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
2.8
110
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过其安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.V
DD
= 25V ，L = 100UH中，R
G
=25Ω , I
AS
=24A.
2005年10月16日Rev.3.1
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SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
