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SSM9477M 参数 Datasheet PDF下载

SSM9477M图片预览
型号: SSM9477M
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内容描述: N沟道增强模式功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 206 K
品牌: SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
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SSM9477M/GM
N沟道增强模式功率MOSFET
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
D
D
D
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
G
60V
90mΩ
4A
SO-8
S
S
S
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
该SSM977M是在SO- 8封装,广泛用于优先
商业和工业表面安装的应用程序,并且是非常适合
对于低电压应用,如DC / DC转换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=100°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
60
±
25
4
3.1
20
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
° C / W
2004年8月21日Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
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