SSM9563GM
P沟道增强型功率MOSFET
产品概述
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
描述
该SSM9563GM acheives快速开关性能
有没有复杂的驱动电路,低栅极电荷。它
适用于低电压应用,如直流/直流
转换器与一般的负载开关电路。
该SSM9563GM是符合RoHS标准提供
SO- 8封装,广泛用于中等功率
商业和工业表面贴装应用。
-40V
40mΩ
-6A
无铅;符合RoHS标准的SO- 8
D
D
D
D
G
SO-8
S
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源
电压
栅极 - 源
电压
连续
漏电流
,
T
C
= 25°C
T
C
= 70°C
脉冲
漏电流
1
总
功耗,T
C
= 25°C
线性
降额因子
存储
温度范围
操作
结温范围
3
价值
-40
±25
-6
-4.8
-30
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
°C
热
特征
符号
R
Θ
JA
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
50
单位
° C / W
注意事项:
1.Pulse宽度必须被限制,以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.Mounted对FR4板的铜焊盘的平方英寸;安装在需要焊接的最小垫区时, 125 °C / W 。
2006年9月26日Rev.3.01
www.SiliconStandard.com
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