SSM9977M/GM
双N沟道增强型功率MOSFET
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
D1
D2
D1
D2
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
G2
S2
60V
90mΩ
3.5A
SO-8
G1
S1
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
该SSM9977M是在SO- 8封装,广泛用于优先
商业和工业表面安装的应用程序,并且是非常适合
对于低电压应用,如DC / DC转换器。
G1
D1
D2
G2
S1
S2
该器件可提供作为SSM9977GM无铅引脚镀层(二级互连) 。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=100°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
60
±
25
3.5
2.8
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
° C / W
2004年8月21日Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
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