SSM9926GM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM9926GM
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内容描述：	双N沟道增强型功率MOSFET [Dual N-channel Enhancement-mode Power MOSFETs]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 525 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM9926GM

双N沟道增强型功率MOSFET

产品概述

DSS

DS （ ON）

描述

该SSM9926GM acheives快速开关性能

有没有复杂的驱动电路，低栅极电荷。它

适用于低电压应用，如直流/直流

转换器与一般的负载开关电路。

该SSM9926GM是符合RoHS标准提供

SO- 8封装，广泛用于中等功率

商业和工业表面贴装应用。

20V

30mΩ

无铅;符合RoHS标准的SO- 8

SO-8

绝对最大额定值

符号

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 25°C

= 70°C

漏电流脉冲

1,2

总功耗，T

= 25°C

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

价值

4.8

0.016

-55到150

单位

W / ℃，

°C

热特性

符号

θJA

参数

最大热阻，结到环境

价值

62.5

单位

° C / W

注意事项：

1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.Mounted对FR4板的铜焊盘的平方英寸;安装在需要焊接的最小垫区时， 135℃ / W 。

2006年3月16日Rev.3.01

www.SiliconStandard.com

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