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型号: SSM9934GM
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内容描述: 2N和2P沟道增强型功率MOSFET [2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 261 K
品牌: SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
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SSM9934GM
2N和2P沟道增强
MODE POWER MOSFET
产品概述
P2G
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
N2G
N1S/N2S
N1D/P1D
35V
48mΩ
4.3A
-35V
72mΩ
-3.6A
简单的驱动要求
低导通电阻
在全桥应用
液晶显示器逆变器
N2D/P2D
P1S/P2S
P1G
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
P1S
P1G
P2S
SO-8
N1G
描述
从硅标准公司先进的功率MOSFET
为设计人员提供快速的最佳组合
开关,坚固耐用的设备设计,低导通电阻和
成本效益。
在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用,并适用于低电压
应用,如DC / DC转换器。
P2G
P1N1D
P2N2D
N1G
N1S
N2S
N2G
无铅;符合RoHS标准
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
35
± 20
4.3
3.4
20
1.38
0.01
-55到150
-55到150
P沟道
-35
± 20
-3.6
-2.8
-20
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
90
单位
℃/W
2007年9月13日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1