SSM9926GEO 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SSM9926GEO
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETS]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 144 K
品牌：	SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]

SSM9926GEO

N沟道增强型功率MOSFET

低导通电阻

能够2.5V栅极驱动

低驱动电流

表面贴装封装

DSS

DS （ ON）

20V

28mΩ

4.6A

TSSOP-8

描述

从功率MOSFET

硅标准

提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

符合RoHS 。

绝对最大额定值

符号

@ T

=25°C

@ T

=70°C

@ T

=25°C

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

± 12

4.6

3.7

0.008

-55到150

单位

W / ℃，

°C

热数据

符号

Rthj - AMB

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

125

单位

° C / W

Rev.2.10 2005年1月29日

www.Sil iconStandard .COM

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