2N5013 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N5013
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内容描述：	0.5 AMP 800 - 1000伏特NPN晶体管 [0.5 AMP 800 - 1000 Volts NPN Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 74 K
品牌：	SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]

2N5013 2N5015直通

固态器件， INC 。

14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638

电话：（ 562 ） 404-7855 *传真：（ 562 ） 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

设计师的数据表

产品特点：

•

BVCER和BVCEO 1000伏

低饱和电压

低漏高温

高增益，低饱和

200 °C操作，金共晶芯片粘接

2N5010 2N5012通也提供工厂联系

TX， TXV ，和S级屏蔽可用

0.5安培

800 - 1000伏

NPN晶体管

最大额定值

符号

价值

单位

集电极 - 发射极电压

（ RBE = 1KΩ ）

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

峰值电流基地

器件总功耗

@ TC = 100° Ç

减免上述100° Ç

工作和存储温度

热阻，结到外壳

案例概述： TO- 5

PIN 1 ：辐射源

PIN 2 ： BASE

PIN 3 ：收藏家

2N5013

2N5014

2N5015

2N5013

2N5014

2N5015

CER

CBO

EBO

TJ ， TSTG

θJC

800

900

1000

800

900

1000

0.5

2.0

-65到+200

毫瓦/℃

ºC

摄氏度/ W

注意：

所有规格如有变更，恕不另行通知。

SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。

数据表＃： TR0043A

DOC

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