固态器件， INC 。
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SFF24N50/3
SFF24N50/3T
24 AMP / 500伏
0.2
Ω
N沟道
功率MOSFET
TO-3
设计师的数据表
产品特点：
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坚固的结构与多晶硅栅电池
低R
DS （ ON）
和高跨导
优良的高温稳定性
开关速度快
快速恢复和卓越的dV / dt性能
增加反向能源能力
低输入和传输电容可以轻易地并联
密封的表面贴装功率封装
TX ， TXV ，空间层次屏蔽可用
更换IXTH24N50类型
最大额定值
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流（ TJ有限）
雪崩电流
雪崩能量
工作&储存温度
热阻，结到外壳
器件总功耗@ T = 25℃
器件总功耗@ TC = 55℃
包装外形： TO- 3
引脚输出：
引脚1 ：门
引脚2 ：源
引脚3 ：排水
注意事项：
1.
P / N ： SFF 24N50 / 3 ：
针直径： 0.043 “
0.038”
2.
P / N ： SFF24N50 / 3T ：
针直径： 0.063 “
0.058”
Ø.875
最大
2x Ø.165
.151
飞机座位
符号
V
DS
V
GS
I
D
重复
重复
单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
热门& TSTG
R
θJC
PD
价值
500
±20
24
21
1
690
-55到+150
0.75
（典型值0.6 ）
167
126
.675
.655
单位
伏
伏
安培
安培
mJ
ºC
摄氏度/ W
瓦
0.135最大
0.525 MAX
2个R.188 MAX
2x .043
.038
.440
.420
2
2x .225
.205
1
.450
.250
2个.312 MIN
1.197
1.177
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： F00175E
DOC
SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
