固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFF24N50M
SFF24N50Z
设计师的数据表
零件编号/订购信息
SFF24N50 __ __ __
1/
¦ ¦ +
筛选
2/
__
=不是屏幕
¦ ¦
TX = TX水平
¦ ¦
TXV = TXV水平
¦ ¦
S =个级别。
¦ ¦
¦ +
LEAD选项
3/
__
=直导线
¦
DB =向下弯曲
¦
UB =向上弯曲
¦
+
包
3/
M = TO- 254
24 AMP / 500伏
0.2
Ω
N沟道MOSFET
产品特点：
坚固的结构与多晶硅栅电池
低R
DS （ ON）
和高跨导
优良的高温稳定性
开关速度快
快速恢复和卓越的dV / dt性能
增加反向能源能力
低输入和传输电容可以轻易地并联
陶瓷密封件，以提高密封性
密封的表面贴装功率封装
TX ， TXV ，空间层次屏蔽可用
更换IXTH24N50类型
Z = TO- 254Z
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
最大额定值
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续集电极电流
雪崩电流
雪崩能量
功耗
工作&储存温度
最大热阻
结到外壳
的TO- 254 （M）的
TO- 254Z （ Z）
符号
V
DS
V
GS
I
D
重复
重复
单脉冲
T
C
= 25ºC
T
C
= 55ºC
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
热门& TSTG
R
θJC
价值
500
±20
24
21
1
690
150
114
-55到+150
0.83
单位
伏
伏
安培
安培
mJ
W
ºC
摄氏度/ W
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： F00165F
DOC
SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
