固态器件， INC 。
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SFF450M
SFF450Z
设计师的数据表
零件编号/订购信息
SFF450
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筛选
2/
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=不是屏幕
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TX = TX水平
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TXV = TXV水平
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S =个级别。
│
└
LEAD选项
3/
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=直导线
1/
13 AMP / 500伏
0.4
Ω
N沟道功率MOSFET
产品特点：
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坚固的结构与多晶硅栅电池
低R
DS （ ON）
和高跨导
优良的高温稳定性
开关速度快
快速恢复和卓越的dV / dt性能
增加反向能源能力
低输入和传输电容可以轻易地并联
可用于改进密封性陶瓷密封件
密封的表面贴装功率封装
TX ， TXV ，空间层次屏蔽可用
替代IRFM450类型
DB =向下弯曲
UB =向上弯曲
包
3/
M = TO- 254
Z = TO- 254Z
最大额定值
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续集电极电流
工作&储存温度
最大热阻
结到外壳
器件总功耗
的TO- 254 （M）的
符号
V
DS
V
GS
I
D
热门& TSTG
R
θJC
T
C
= 25ºC
T
C
= 55ºC
TO- 254Z （ Z）
价值
500
±20
13
-55到+150
1
125
95
单位
伏
伏
安培
ºC
摄氏度/ W
W
P
D
对于引脚输出的配置和可选引脚弯曲，硒第3页。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： F00097E
DOC
SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
