固态器件， INC 。
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SFF60P05M
SFF60P05Z
AMP -60 / -50伏
25 m典型
P沟道
功率MOSFET
产品特点：
坚固的结构与多晶硅栅
低RDS（on ）和高跨导
优良的高温稳定性
开关速度快
快速恢复和卓越的dV / dt性能
增加反向能源能力
低输入和传输电容容易
并联
密封式
TX ， TXV和空间层次屏蔽可用。
向厂家咨询。
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SFF60P05
__ __ __
│
└
│
筛选
2/
│
│
__ =不屏蔽
TX = TX水平
│
│
TXV = TXV水平
│
│
S =个级别。
│
│
LEAD选项
└
│
__ =直导线
│
DB =向下弯曲
│
UB =向上弯曲
│
包
3/
└
M = TO- 254
Z = TO- 254Z
最大额定值
4/
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
工作&储存温度
热阻，结到外壳
器件总功耗
T
C
= 25ºC
T
C
= -55ºC
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
OP
＆放大器;牛逼
英镑
R
JC
P
D
价值
-50
+20
-60
-55到+150
0.8
156
118
单位
V
V
A
ºC
摄氏度/ W
瓦
注意事项：
的TO- 254 （M）的
TO- 254Z （ Z）
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％ 。
1 /有关订购信息，价格和可用性 - 请联系工厂。
2 /筛选基于MIL- PRF- 19500 。筛选根据要求提供流动。
3 /最大电流限制的封装配置。
o
4 /除非另有规定，所有的电特性@ 25 ℃。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： FP0045E
DOC
SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
