固态器件, INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-7855 *传真: ( 562 ) 404-1773
SFF70N10M
SFF70N10Z
70安培
600伏
0.030
Ω
N沟道
功率MOSFET
的TO- 254 (M)的
TO- 254Z ( Z)
设计师的数据表
产品特点:
•坚固的结构与聚硅栅
•超低的RDS(on )和高跨导
•优良的高温稳定性
•非常快的开关速度
•快速恢复和卓越的dv / dt性能
•增加反向能量的能力
•低输入和传输电容的并联方便
•密封包装
• TX , TXV和空间层次筛选可用
•
替换: SMM70N10类型
最大额定值
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
工作和存储温度
热阻,结到外壳
器件总功耗
@ T = 25
o
C
@ TC = 55
o
C
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
op
&放大器;牛逼
英镑
R
0JC
P
D
价值
100
+ 20
56
1/
-55到+150
.83
150
114
o
单位
伏
伏
安培
o
C
C / W
瓦
案例外形: TO- 254 ( Sufix M)
引脚输出:
引脚1 :漏
引脚2 :源
引脚3 :门
案例外形: TO- 254Z ( Sufix Z)
引脚输出:
引脚1 :漏
引脚2 :源
引脚3 :门
可用玻璃或陶瓷密封件。联系Facory了解详细信息。
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
的SCD这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : F00247B