固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
SFF75N06M
SFF75N06Z
75安培
60伏特
15m
Ω
N沟道
功率MOSFET
的TO- 254 （M）的
TO- 254Z （ Z）
设计师的数据表
产品特点：
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先进的高细胞密度承受高能量
极低的传导和开关损耗
快速恢复漏极至源极二极管具有软恢复
坚固的结构与多晶硅栅
超低的RDS（on ）和高跨导
优良的高温稳定性
开关速度快
快速恢复和卓越的dV / dt性能
增加反向能源能力
低输入和传输电容可以轻易地并联
密封包装
TX ， TXV和空间层次屏蔽可用
最大额定值
特征
漏源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0米
Ω)
栅极至源极电压
连续漏电流
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗
@ T = 25
o
C
@ TC = 55
o
C
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
T
op
＆放大器;牛逼
英镑
R
Θ
JC
P
D
价值
60
60
+ 20
56
1/
-55到+150
1
125
95
o
单位
伏
伏
伏
安培
o
C
C / W
瓦
案例外形： TO- 254 （ Sufix M）
引脚输出：
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
案例外形： TO- 254Z （ Sufix Z）
引脚输出：
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
可用玻璃或陶瓷密封件。联系Facory了解详细信息。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
的SCD这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： F00311B
SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
