固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
SFF75N10M
SFF75N10Z
75安培
100伏
0.025
Ω
N沟道
功率MOSFET
的TO- 254 （M）的
TO- 254Z （ Z）
设计师的数据表
产品特点：
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坚固的结构与多晶硅栅
低RDS （ on）和高跨导
优良的高温稳定性
开关速度快
快速恢复和卓越的dV / dt性能
增加反向能源能力
低输入和传输电容可以轻易地并联
陶瓷密封件，以提高密封性
密封包装
TX ， TXV和空间层次屏蔽可用
替换： IXTH75N10类型
最大额定值
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗
@ T = 25
o
C
@ TC = 55
o
C
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
op
＆放大器;牛逼
英镑
R
0JC
P
D
价值
100
+ 20
56
1/
-55到+150
0.83
150
114
o
单位
伏
伏
安培
o
C
C / W
瓦
重复性雪崩能量
案例外形： TO- 254 （ Sufix M）
引脚输出：
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
Ø.149
.139
.800
.790
.545
.535
0.500 MIN
E
AR
30
mJ
.155
.145
3脚
.545
.535
销2
销1
.305
.295
案例外形： TO- 254Z （ Sufix Z）
引脚输出：
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
2x Ø.150
.140
2x .140
.125
.545
.535
.555
.500
2x .275
.255
3脚
2x .155
.145
3x Ø.045
.035
1.090 .820 .545
1.050 .790 .535
销2
.305
.295
.675±.010
销1
3x .045
.035
.260
.240
.155
.140
后缀位：Z
.050
.040
.285
.265
后缀：M
.260
.240
.055
.035
2x .275
.255
.155
.135
2x .190
.150
.170
民
说明： MD
后缀： MU
2x .190
.150
.170
民
后缀： ZD
后缀： ZU
2x .190
.150
可用玻璃或陶瓷密封件。请与工厂联系获取详细信息。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
的SCD这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： F00153F
SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
