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SFT504 参数 Datasheet PDF下载

SFT504图片预览
型号: SFT504
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内容描述: 5安培200伏特高速NPN晶体管 [5 AMP 200 Volts HIGH SPEED NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 32 K
品牌: SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
 浏览型号SFT504的Datasheet PDF文件第1页  
固态器件, INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-7855 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFT502和SFT504
系列
电气特性
4/
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 截止电流
集电极 - 截止电流
发射器 - 截止电流
直流电流增益*
SFT502
I
C
= 50毫安
I
C
= 200µA
I
E
= 200µA
V
CE
= 100 V
V
CB
= 100 V
V
EB
= 6 V
V
CE
= 5V ,我
C
= 50毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 2.5A
V
CE
= 5V ,我
C
= 5A
V
CE
= 5V ,我
C
= 50毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 2.5A
V
CE
= 5V ,我
C
= 5A
I
C
= 2.5A ,我
B
= 250毫安
I
C
= 5.0A ,我
B
= 500毫安
I
C
= 2.5A ,我
B
= 250毫安
I
C
= 5.0A ,我
B
= 500毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5A , F = 10MHz时
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
V
BE
= 10V ,我
C
= 0A , F = 1MHz的
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
150
200
7
––
––
––
20
30
20
50
50
40
––
––
––
––
70
––
––
––
––
––
––
典型值
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
最大
––
––
––
1
500
500
––
––
––
––
––
––
0.75
1.5
1.3
1.5
––
225
900
50
250
900
300
单位
µA
nA
nA
SFT504
h
FE
––
集电极 - 发射极饱和电压*
基地 - 发射极饱和电压*
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
c
ob
C
ib
t
d
兆赫
pF
pF
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
V
CC
= 50V,
I
C
= 5A,
I
B1
= I
B2
= 0.5A
t
r
t
S
t
f
注意事项:
*脉冲测试:脉冲宽度= 300μsec ,占空比= 2 %
1 /有关订购信息,价格和可用性,请联系工厂。
每MIL -PRF - 19500 2 /筛选
3 /对于包装纲要工厂联系。
4 /除非另有说明,所有电气特性@ 25ºC 。
可用型号:
SFT502
SFT504
TO-5
引脚分配
销1
辐射源
销2
BASE
引脚3 (案例)
集热器