上海SUNRISE ELECTRONICS CO 。 ，L
S1AB THRU S1MB
表面安装玻璃
钝化整流
电压： 50至1000V电流： 1.0A
特点
•适用于表面贴装取
应用场所
•薄型封装
•内置应变救灾
•高浪涌能力
•高温焊接保证：
260
o
C / 10秒/端子
技术
规范
SMB/DO-214AA
B
A
C
D
F
G
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
A
.155(3.94)
.130(3.30)
E
.220(5.59)
.205(5.21)
B
.180(4.57)
.160(4.06)
F
.096(2.44)
.084(2.13)
机械数据
•终端：每焊镀信息
MIL- STD 202E ，方法208C
•案例：模压与UL - 94类别V-0
公认的阻燃环氧树脂
•极性：颜色频带为负极
H
C
D
.083(2.11) .012(0.30
.077(1.96) .006(0.15
G
H
.008(0.203) .060(1.52
.004(0.102) .030(0.76
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
（单相半波，60赫兹，电阻或电感的在25
o
C，除非另有注明外，容性
20％的减免电流）
评级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
(T
L
=100 C)
峰值正向浪涌电流（ 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负载）
最大正向电压
（额定电流）
反向电流最大DC
T
a
=25
o
C
（额定阻断电压DC ）
o
符号
S1AB S1BB S1DB S1GB S1JB S1KB S1MB
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30
1.1
5.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
200
T
a
=125
o
C
15
C
J
典型结电容
（注1 ）
30
典型热阻
（注2）R
θ
（ JA ）
-65到+150
存储和工作结温T
英镑
,T
J
注意：
1.Measured在1.0 MHz和应用4.0V的电压
dc
结2.Thermal耐终端安装在5 × 5毫米铜焊盘面积
HTTP ： //www.sse-diode
SSE [ SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS ]
