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SST25LF040A-33-4I-S2AE 参数 Datasheet PDF下载

SST25LF040A-33-4I-S2AE图片预览
型号: SST25LF040A-33-4I-S2AE
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内容描述: 2兆位/ 4兆位的SPI串行闪存 [2 Mbit / 4 Mbit SPI Serial Flash]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 26 页 / 301 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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2兆位/ 4兆位的SPI串行闪存
SST25LF020A / SST25LF040A
SST25LF020A / 040A2Mb / 4Mb的串行外设接口( SPI )闪存
数据表
产品特点:
•单3.0-3.6V读写操作
•串行接口架构
- SPI兼容:模式0和模式3
• 33 MHz的最大时钟频率
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗:
- 读操作工作电流:7 mA(典型值)
- 待机电流: 8 μA (典型值)
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
•快速擦除和字节编程:
- 芯片擦除时间: 70毫秒(典型值)
- 部门或块擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 14 μs(典型值)
•自动地址递增( AAI )编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件状态
•保持引脚( HOLD # )
- 暂停串行序列的记忆
不取消选择器件
•写保护( WP # )
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 商业: 0 ° C至+ 70°C
- 工业级: -40 ° C至+ 85°C
- 扩展: -20 ° C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC封装150万体宽
对于SST25LF020A
- 8引脚SOIC封装200万体宽
对于SST25LF040A
- 8触点WSON ( 5× 6毫米)
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
产品说明
SST的串行闪存系列具有一个四线SPI-的COM
兼容的接口,允许低引脚数封装
占用更少的电路板空间,并最终降低总
系统的成本。 SST25LF020A / 040A SPI串行闪存
回忆与SST专有的制造,高
高性能CMOS SuperFlash技术。在不分流
栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现
更好的可靠性和可制造与比较
另一种方法。
该SST25LF020A / 040A设备显著改善
性能,同时降低功耗。该
消耗的总能量是所施加的电压的函数
年龄,电流和应用的时间。因为对于任何给定
电压范围, SuperFlash技术使用更少的电流
租来编程,并且具有擦除时间更短,总
在任何擦除或编程操作所消耗的能量
低于其他闪存技术。该
SST25LF020A / 040A器件用单3.0-操作
3.6V电源。
该SST25LF020A器件采用8引脚SOIC
150万的车身宽度( SA )封装。该SST25LF040A
器件采用8引脚SOIC封装200万体宽
(S2A )封装。所有密度提供在8接触
WSON封装。参见图1的引脚分配。
©2006硅存储技术公司
S71242-05-000
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。