欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SST25VF080B 参数 Datasheet PDF下载

SST25VF080B图片预览
型号: SST25VF080B
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8兆位的SPI串行闪存 [8 Mbit SPI Serial Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 28 页 / 351 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
 浏览型号SST25VF080B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SST25VF080B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SST25VF080B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SST25VF080B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号SST25VF080B的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SST25VF080B的Datasheet PDF文件第12页浏览型号SST25VF080B的Datasheet PDF文件第13页浏览型号SST25VF080B的Datasheet PDF文件第14页  
8兆位的SPI串行闪存
SST25VF080B
数据表
高速读取( 50兆赫)
在高速读取指令,支持高达50 MHz的
读通过执行8位命令启动, 0BH ,请遵循
地址位lowed [A
23
-A
0
]和一个空字节。 CE#
必须保持活性低的高速度 - 的持续时间
读周期。参见图5为高速读取
序列。
下面一个空周期的高速读取指令
化输出从指定地址开始的数据
位置。数据输出流是通过所有连续
地址,直到被终止低到高的转变
CE# 。内部地址指针会自动递增
换货直至最高的存储器地址被达到。一旦
所述最高的存储器地址被达到了,所述地址
指针将自动递增到开始( wrap-
周围的地址空间) 。一旦从地址中的数据
位置FFFFFH已被读出时,下一个输出将
从地址位置00000H 。
CE#
模式3
SCK
模式0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39 40
47 48
55 56
63 64
71 72
80
SI
最高位
SO
0B
添加。
最高位
高阻抗
添加。
添加。
X
N
D
OUT
最高位
N+1
D
OUT
N+2
D
OUT
N+3
D
OUT
N+4
D
OUT
1296 HSRdSeq.0
注:X =空字节: 8个时钟输入空周期(V
IL
或V
IH
)
图5 :H
室内运动场
-S
撒尿
-R
EAD
S
EQUENCE
©2006硅存储技术公司
S71296-01-000
1/06
10