512 Kbit的SPI串行闪存
SST25VF512A
SST25VF512A512Kb串行外设接口（ SPI），闪速存储器
数据表
产品特点：
•单2.7-3.6V读写操作
•串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
• 33 MHz的最大时钟频率
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 读操作工作电流：7 mA（典型值）
- 待机电流： 8 μA （典型值）
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
•快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 部门或块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
•自动地址递增（ AAI ）编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件状态
•保持引脚（ HOLD ＃ ）
- 暂停串行序列的记忆
不取消选择器件
•写保护（ WP ＃ ）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 商业： 0 ° C至+ 70°C
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -20 ° C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC封装150万体宽
- 8触点WSON （ 5× 6毫米）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
SST的串行闪存系列具有一个四线SPI- compati-
BLE接口，可以低引脚数封装occu-
pying较少的电路板空间，并最终降低总系统
成本。 SST25VF512A SPI串行闪存制造
捕获的原始图像与SST专有的高性能CMOS
SuperFlash技术。分裂栅单元设计
厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST25VF512A设备显著改善perfor-
曼斯，同时降低功耗。总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金和应用时间。因为对于任何给定的电压
范围， SuperFlash技术使用更少的电流亲
克，并且具有擦除时间更短，总的能源消
SUMED任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。该SST25VF512A
器件工作在单2.7-3.6V电源。
该SST25VF512A器件采用8引脚SOIC
和8触点WSON封装。参见图1引脚
分配。
©2006硅存储技术公司
S71264-02-000
1/06
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
