8兆位的SPI串行闪存
SST25LF080A
SST25LF080A8Mb串行外设接口( SPI),闪速存储器
EOL产品数据表
产品特点:
•单电压读写操作
– 3.0-3.6V
•串行接口架构
- SPI兼容:模式0和模式3
• 33 MHz的最大时钟频率
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗:
- 读操作工作电流:7 mA(典型值)
- 待机电流: 8 μA (典型值)
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
•快速擦除和字节编程:
- 芯片擦除时间: 70毫秒(典型值)
- 部门或块擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 14 μs(典型值)
•自动地址递增( AAI )编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件状态
•保持引脚( HOLD # )
- 暂停串行序列的记忆
不取消选择器件
•写保护( WP # )
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 商业: 0 ° C至+ 70°C
- 工业级: -40 ° C至+ 85°C
- 扩展: -20 ° C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC封装200万体宽
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
产品说明
SST的串行闪存系列具有一个四线SPI-的COM
兼容的接口,允许低引脚数封装
占用更少的电路板空间,并最终降低总
系统的成本。 SST25LF080A SPI串行闪存
与SST专有的,高perfor-制造
曼斯CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元
设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更可靠
交替比较能力和制造
的方法。
该SST25LF080A设备显著改善perfor-
曼斯,同时降低功耗。总
消耗的能量是所施加电压的函数,
目前,和时间的应用。因为对于任何给定的电压
年龄范围, SuperFlash技术使用更少的电流
进行编程,并具有擦除时间更短,总的能量
在任何擦除消耗或编程操作较少
比其他闪存技术。该
SST25LF080A设备与单个3.0-3.6V操作
电源。
该SST25LF080A器件采用8引脚
SOIC封装, 200万车身宽度。参见图1
引脚分配。
©2006硅存储技术公司
S71248-06-EOL
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。