4兆位的SPI串行闪存
SST25VF040B
SST25VF040B4Mb串行外设接口（ SPI），闪速存储器
数据表
产品特点：
•单电压读写操作
– 2.7-3.6V
•串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
•高速时钟频率
- 高达50/80 MHz的
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 读操作工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 5 μA （典型值）
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块
•快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 35毫秒（典型值）
- 以部门/块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 7 μs（典型值）
•自动地址递增（ AAI ）编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- 在AAI模式SO引脚上忙状态读出
•保持引脚（ HOLD ＃ ）
- 暂停串行序列的记忆
不取消选择器件
•写保护（ WP ＃ ）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 商业： 0 ° C至+ 70°C
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC （ 200密耳）
- 8引脚SOIC （ 150密耳）
- 8触点WSON （ 6× 5毫米）
•所有器件均符合RoHS标准
产品说明
25系列串行闪存系列具有一个四线，SPI
兼容接口，允许低引脚数封装
年龄占用更少的电路板空间，并最终降低
总的系统成本。该SST25VF040B设备
加强与改进的工作频率和连
更低的功耗。 SST25VF040B SPI串行闪存
回忆与SST专有的制造，高
高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。
该SST25VF040B设备显著改善perfor-
曼斯和可靠性，同时降低功耗。
该器件的写入（编程或擦除）与单电
电源为2.7-3.6V SST25VF040B的。的总能量
消耗是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗
任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。
该SST25VF040B器件采用8引脚SOIC
（ 200密耳） ， 8引脚SOIC （ 150密耳） ，和8触点WSON
（ 6× 5毫米）封装。参见图2引脚分配。
©2009硅存储技术公司
S71295-05-000
10/09
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
