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SST27SF010-70-3C-NH 参数 Datasheet PDF下载

SST27SF010-70-3C-NH图片预览
型号: SST27SF010-70-3C-NH
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内容描述: 512千位/ 1兆位/ 2兆位( X8 )许多时间内可编程Flash [512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit (x8) Many-Time Programmable Flash]
分类和应用:
文件页数/大小: 23 页 / 327 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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512千位/ 1兆位/ 2兆位( X8 )许多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
SST27SF512 / 010 / 0205.0V -读取512KB /为1Mb /的2Mb ( X8 ) MTP闪存
数据表
产品特点:
•组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8
• 4.5-5.5V读操作
•卓越的可靠性
- 耐力:至少1000次
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 工作电流:20 mA(典型值)
- 待机电流: 10 μA (典型值)
•快速读取访问时间
= 70纳秒
•快速字节编程操作
- 字节编程时间: 20 μs(典型值)
- 芯片编程时间:
1.4秒(典型值)的SST27SF512
2.8秒(典型值)的SST27SF010
5.6秒(典型值)的SST27SF020
•电擦除使用编程器
- 不需要紫外光源
- 芯片擦除时间: 100毫秒(典型值)
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准的字节宽度的EPROM引脚排列
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米)
- 28引脚PDIP为SST27SF512
- 32引脚PDIP为SST27SF010 / 020
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST27SF512 / 010 / 020顷一个64K ×8 / 128K ×8 / 256K
X8 CMOS ,很多时间可编程( MTP )成本低
闪光灯,制造与SST专有的,高perfor-
曼斯SuperFlash技术。分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
这些MTP装置可电擦除和亲
使用外部编程器编程的至少1000倍
MER用12V电源。它们具有事先被擦除
编程。这些器件符合JEDEC标
准引脚为字节宽的回忆。
特色
高性能
字节编程,
SST27SF512 / 010 / 020提供了20的字节编程时间
微秒。设计,制造和测试了一个宽光谱
应用TRUM ,这些器件还具有一个
耐力至少1000个循环的。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST27SF512 / 010 / 020顷适合应用
需要频繁写入和低功耗的非易失性stor-
年龄。这些器件将提高灵活性,效率和
性能,同时匹配在非易失性的低成本
当前使用的应用程序的UV - EPROM中,用OTP ,并
面具光盘。
以满足表面安装和常规通孔
要求, SST27SF512均提供32引脚
PLCC , 32引脚TSOP和28引脚PDIP封装。该
,
SST27SF010 / 020顷提供32引脚PDIP 32引线
,
PLCC和32引脚TSOP封装。参见图1 ,图2和
3引脚分配。
©2005硅存储技术公司
S71152-11-000
9/05
1
设备操作
该SST27SF512 / 010 / 020顷低成本闪存解决方案
可用于替代现有的UV- EPROM, OTP ,
并屏蔽ROM插槽。这些设备在功能上是
(读取和编程)和引脚兼容行业
标准EPROM产品。除了EPROM的功能
族体,这些器件还支持电擦除
经由外部编程操作。他们不
需要一个紫外光源来擦除,因此封装
年龄不具有窗口。
该SST27SF512的读操作/ 010 / 020所配置
通过CE#和OE #控制。既,CE#和OE #必须是低
该系统以获得从所述输出数据。一旦
地址是稳定的,地址存取时间是等于
从CE#延迟输出(T
CE
) 。数据可在输出
把T的延迟之后
OE
从OE#的下降沿,
假设CE#引脚一直保持在低水平和地址
一直保持稳定至少吨
CE
-T
OE 。
当CE #引脚
高,芯片被取消选中,典型待机电流
10 μA被消耗。 OE#为输出控制,并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时,无论CE #或OE #为高电平。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
MTP是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。