512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
SST27SF020 SST27SF010
SST27SF512
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
SST27SF512
VDD
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃ / VPP
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
1152 28 - PDIP P3.2
SST27SF010 SST27SF020
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
PGM ＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
PGM ＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28-pin
PDIP
顶视图
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1152 32 - PDIP P4.1
图3 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
28-
引脚和
32-
针
PDIP
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS1
-A
0
DQ
7
-DQ
0
CE＃
OE ＃
OE ＃ / V
PP
V
PP
V
DD
V
SS
NC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
输出使能/ V
PP
供电电源
编程或擦除
电源
地
无连接
未连接引脚。
T2.4 1152
功能
提供内存地址
要在读周期输出数据和接收过程中计划循环输入数据
输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE ＃为低电平
对于SST27SF010 / 020 ，以栅极读操作期间，数据输出缓冲器
对于SST27SF512 ，向栅极读操作和高电压期间，该数据输出缓冲器
在芯片擦除和编程操作销
对于SST27SF010 / 020 ，在芯片擦除和编程操作高压引脚
11.4-12V
提供5.0V电源（ 4.5-5.5V ）
1. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
15
对于SST27SF512 ，A
16
对于SST27SF010 ，和A
17
对于SST27SF020
©2005硅存储技术公司
S71152-11-000
9/05
5
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
